韓國膜厚儀解釋當薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)在測量系統(tǒng)范圍內(nèi)時，測量系統(tǒng)能又快又輕松的測量。在用來測量薄膜厚度時，有幾種常見的對膜厚儀的誤解。比如：
1.韓國膜厚儀只能測量薄膜厚度，且需要預(yù)先知道光學(xué)常數(shù)(折射率和消光系數(shù))；
2.和橢偏儀相比它的精度較低；
3.只有一到兩個厚度可同時測量。
這些誤解反映了韓國膜厚儀這種技術(shù)沒有被充分利用。其使用方法和數(shù)據(jù)分析有待進一步的深入。
橢偏儀是間接的測量方法，需要建立一個模型，通過調(diào)整物理參數(shù)(厚度和光學(xué)常數(shù))，使得模型與測量得到的反射率曲線達到*擬合度，以此來反推計算薄膜厚度和光學(xué)常數(shù)。
但是韓國膜厚儀在下列情況下具有明顯的優(yōu)勢：
1.韓國膜厚儀度要求較高的厚度測量(除很薄的薄膜外)精度<0.01納米；
2.測量較厚的薄膜(>10微米)。精度達到500微米；
3.更高的測量速度<1毫秒；
4.測量表面粗糙度。
這些種技術(shù)都可以測量復(fù)雜的多層薄膜，計算其厚度和材料的n、k值。
通常人們都使用膜厚儀認為它適合簡單的厚度測量：一至二層薄膜。通常，測量多晶硅和氮化硅是兩個主要應(yīng)用，導(dǎo)致了橢偏儀和膜厚儀在半導(dǎo)體工業(yè)領(lǐng)域里有著廣泛的應(yīng)用。以傳統(tǒng)的使用方法，顯然不適合這些應(yīng)用。因此，說明膜厚儀的應(yīng)用是非常有意義的。事實上如果運用得當，測量它們非常成功。